Лабораторная система плазмохимического осаждения из паровой фазы

Система предназначена для плазмохимического осаждения в высоком вакууме. Емкостной метод с параллельными пластинами использует плазму для активации реакционных газов и ускорения химических реакций на поверхности или в приповерхностной области подложки. Конструкция выполнена в виде одной трубы с ручной передней дверью. Вакуумная камера изготовлена из нержавеющей стали 304; соединения выполнены аргонодуговой сваркой, поверхность обработана стеклянной дробеструйной обработкой, электрохимической полировкой и пассивацией. Камера оснащена окном визуального наблюдения и заслонкой, а держатель образца может вращаться. Размер камеры — диаметр 300 мм и высота 300 мм. Предельный вакуум составляет 8,0 × 10⁻⁵ Па, скорость утечки — не более 5,0 × 10⁻⁷ Па·л/с. От атмосферного давления до 8,0 × 10⁻⁴ Па система откачивается за 40 минут; через 12 часов после остановки насоса давление не превышает 20 Па. Образец размещается снизу, распылительная головка — сверху; расстояние между ними непрерывно регулируется от 15 до 50 мм. Максимальная температура нагрева образца — 500 °C при точности ±1 °C, диаметр головки — 90 мм. Рабочее давление осаждения регулируется в диапазоне 13,3–133 Па. ВЧ-источник питания работает на частоте 13,56 МГц, имеет максимальную мощность 300 Вт и автоматическое согласование. Стандартная конфигурация включает двухканальный контроллер газа с расходом 100 см³/мин. Для установки необходимы однофазное питание 220 В с частотой 50 ± 0,5 Гц, потребляемая мощность менее 4 кВт, вода с давлением 0,2–0,4 МПа и температурой 15–25 °C. Температура окружающей среды должна быть 10–35 °C, относительная влажность — не более 75%; рабочее помещение должно быть чистым, без пыли и газов, вызывающих коррозию или проводимость между металлическими поверхностями.

Наименование производителя

Advanced PECVD System for Laboratory Thin-Film Coating, Semiconductor Wafer Processing, and Plasma-Assisted Film Deposition