Артикул: 513-442
Модель: СШЭ-51(4И)
Секция: Дополнительная
Лабораторный источник питания для среднечастотного магнетронного распыления и вакуумной плазменной очистки, 20 кВт
Лабораторный источник питания для среднечастотного магнетронного распыления рассчитан на работу с низким выходным напряжением и высоким выходным током, включая применения с низким рабочим напряжением. Частота выхода составляет 40 кГц, а выходное напряжение имеет квазисинусоидальную форму переменного напряжения. Максимальный уровень выходного напряжения — 600 В, номинальный — 500 В. Выходной ток равен 40 А, что также соответствует его максимальному значению. Входное напряжение составляет 380 В. Выходной режим предусматривает регулирование постоянной мощности с точностью не более 1 %. Коэффициент полезного действия составляет не менее 90 %, класс изоляции — E. Для охлаждения используется вода. Изделие имеет сертификацию ISO 9001. Монтажный размер: шкаф 60. Габариты составляют 480 × 135 × 380 мм.
Задать вопрос Искать на Baidu
Какую задачу решает источник питания для магнетронного распыления
Источник питания для среднечастотного магнетронного распыления применяют в лабораторных установках для вакуумной плазменной очистки при низком рабочем напряжении.
Характеристики СШЭ-51(4И)
Модель (по базе 91Т)СШЭ-51(4И)
Материалисточник питания для среднечастотного распыления
Привод20 кВт
Размер480 × 135 × 380 мм
Типвакуумная сушильная печь
Источник питания для магнетронного распыления - гибкость поставки.
Нам известно, что каждый проект имеет свою специфику. Поэтому мы готовы рассмотреть адаптацию технических характеристик, типоразмеров и комплектации СШЭ-51(4И) под ваши конкретные условия (силами исходного производителя либо нашего производства в России).
Нам известно, что каждый проект имеет свою специфику. Поэтому мы готовы рассмотреть адаптацию технических характеристик, типоразмеров и комплектации СШЭ-51(4И) под ваши конкретные условия (силами исходного производителя либо нашего производства в России).
Данные проверены на актуальность: 06.10.26
Информация о производителе и характеристиках подтверждена.
Люди, которые искали Источник питания для магнетронного распыления, также смотрели:
+5 фотоВертикальный обрабатывающий центр с прецизионной линейной направляющей
Модель: КРЭ-77(1А)
Шпиндель входит в конструкцию изделия. Точность позиционирования составляет 0,005. Повторяемость по трём осям равна 0,005 мм. Стол перемещается по первой, второй и третьей осям на 800, 500 и 500 мм соответственно.
+2 фотоПлазменный очиститель объёмом 3 л
Модель: ХМА-75(4У)
Кварцевая плазменная камера имеет диаметр 152,4 мм и длину 165,1 мм; дверца на петлях оснащена смотровым окном для загрузки образцов и наблюдения за процессом. Обрабатываемый образец может иметь размер до 101,6 мм. Для очистки можно выбирать плазму воздуха, кислорода, аргона, азота или смешанного га
+5 фотоЧетырёхосевой вертикальный фрезерный обрабатывающий центр с системой ЧПУ и линейными направляющими
Модель: РЛУ-24(1Б)
Точность позиционирования составляет 0.005. Повторяемость по трём координатным направлениям составляет 0.005 мм. Стол перемещается по первой, второй и третьей координатным осям на 800, 550 и 550 мм соответственно.
+5 фотоМобильный мини-бетононасос с наклонной подачей, 8 м³/ч
Модель: ФЭВ-95(4Э)
Мини-бетононасос имеет регулируемую наклонную раму, позволяющую изменять угол подачи в зависимости от условий рабочей площадки. Такое устройство поддерживает более плавное прохождение материала. Оптимизированная насосная камера обеспечивает стабильное перемещение смеси. Компактный корпус с ходовыми