Артикул: 527-981 Модель: ГРЮ-11(7М) Секция: Дополнительная

Компактная гибридная установка для выращивания кристаллов с контролем атмосферы

Компактная установка оснащена вертикальной трубчатой печью с двумя зонами нагрева и разъемной дверцей для монтажа трубы. Рабочая камера выполнена с кварцевой трубой наружным диаметром 50 мм, внутренним диаметром 44 мм и длиной 600 мм; фланцевое соединение имеет вакуумное уплотнение и механизм вращения и вытягивания. Верхний фланец снабжен водяным охлаждением, игольчатым клапаном и портом для механизма, нижний — игольчатым клапаном и портом подключения вакуумного насоса. Для циркуляции или подачи газа предусмотрены два трубных фитинга размером 6,35 мм. Длина каждой зоны нагрева составляет 100 мм. Управление температурой обеспечивает точность ±0,1 °C и программирование 28 сегментов с независимой настройкой зон; используются две термопары типа K. Механизм перемещения приводится прецизионным сервомотором. Скорость вытягивания составляет 0,5–50 мм/ч, скорость вращения тягового стержня — 0,1–23 об/мин, ход — 0–300 мм, ускоренное перемещение — 35 мм/мин. В комплект входят алюмооксидная труба длиной 300 мм для опоры тигля, тяговый стержень из инструментальной стали для затравочных кристаллов при температуре до 800 °C и алюмооксидный тигель размером 25 × 20 × 25 мм. Диаметр затравочного кристалла составляет 0,5–3,2 мм. Для работы с кварцевыми трубами предусмотрены два держателя из нержавеющей стали размерами 20 × 16 × 150 мм и 15 × 11 × 150 мм; при температуре выше 800 °C держатель может окисляться. Летучие образцы герметично запаивают в кварцевой трубе. Опционально доступны двухступенчатый механический вакуумный насос с разрежением 10⁻² торр, турбонасос с разрежением 10⁻⁵ торр и рециркуляционная система очистки газа для материалов, чувствительных к кислороду.
Наименование производителяMGSI 1100 °C Max. Hybrid Compact Crystal Grower for Both CZ & Bridgman W/ Atmosphere Control - OTF-1200X-SCB, MGSI Czochralski Crystal Growth System Tube Furnace up to 2100C 208-220V-SKJ-50CZ
Задать вопрос Искать на Baidu

Какую задачу решает установка для выращивания кристаллов

Установка для выращивания кристаллов предназначена для получения монокристалла из расплава в тигле с использованием затравки по методу Чохральского и для выращивания кристаллов методом Бриджмена.
Выращивание кристаллов

Характеристики ГРЮ-11(7М)

Модель (по базе 91Т)ГРЮ-11(7М)
Материалтрубчатая печь
Привод208–220 В
Размеруточняется, 2700 мм (наружный диаметр) × 1250 мм (внутренний диаметр) × 1150 мм (высота)
Типтрубчатая печь
Установка для выращивания кристаллов - гибкость поставки.
Мы знаем, что задачи каждого проекта отличаются. Поэтому по вашему запросу мы готовы рассмотреть возможность адаптации технических характеристик, типоразмеров и комплектации ГРЮ-11(7М) под конкретные условия применения (силами первого производителя или силами нашего завода в России).

Дата последней сверки данных: 27.09.26

Производитель и характеристики проверены.

Люди, которые искали Установка для выращивания кристаллов, также смотрели: